本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。

制造商：Infineon
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：詳細信息
技術(shù)：Si
安裝風(fēng)格：通孔
封裝/箱體：TO-220-3
晶體管極性：N溝道
通道數(shù)量：1個頻道
Vds-漏源極擊穿電壓：200 V
Id-連續(xù)直流電流：65 A
漏源導(dǎo)通電阻：24 mOhms
Vgs-克羅地亞-源極電壓：30 V
Qg-萘甲酸：70 nC
最小工作溫度：-40 C
最大工作溫度：+ 175 C
Pd-功率耗散：330 W
通道模式：增強
封裝：Tube
配置：單
高度：15.65毫米
長度：10毫米
晶體管類型：1 N溝道
寬度：4.4毫米
商標：Infineon Technologies
正向跨導(dǎo)-對抗：49 S
下降時間：31 ns
產(chǎn)品類型：MOSFET
上升時間：20 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
子類別：MOSFET
典型關(guān)閉延遲時間：21 ns
典型終止時間：33 ns
零件號別名：IRFB4227PBF SP001565892
單位重量：6 g

特征
•先進的工藝技術(shù)
•針對PDP維持，能量回收和通道切換應(yīng)用優(yōu)化的關(guān)鍵參數(shù)
•低EPULSE額定值，以減少PDP維持，能量回收和通行開關(guān)應(yīng)用中的功耗
•低質(zhì)量保證，快速響應(yīng)
•高重復(fù)峰值電流能力，確?？煽窟\行
•縮短下降和上升時間以實現(xiàn)快速切換
•175°C的工作結(jié)溫，以提高堅固性
•重復(fù)的雪崩能力，具有堅固性和可靠性
D類音頻放大器300W-500W（半橋）
描述
這款HEXFET®功率MSFET專為Sustain設(shè)計。

 等離子顯示面板中的能量回收和通過開關(guān)應(yīng)用。

 該MOSFET利用最新的處理技術(shù)來實現(xiàn)較低的

每硅面積導(dǎo)通電阻和低EPULSE額定值。 

該MOSFET的其他功能是175°C的工作結(jié)溫和

高重復(fù)峰值電流能力。 這些特性相結(jié)合，

使該MOSFET成為用于PDP驅(qū)動應(yīng)用的高效，

堅固和可靠的器件。