規(guī)格書：AO4407A

http://aosmd.com/res/data_sheets/AO4407A.pdf

規(guī)格 AO4407A

FET類型P溝道

技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（VDSS）30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）12A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大Rds On，最小Rds On）6V，20V

不同Id，Vgs時(shí)的Rds On（最大值）11毫歐@ 12A，20V

不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）3V @250μA

不同Vgs時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）39nC @ 10V

的Vgs（最大值）±25V

不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）2600pF @ 15V

FET功能 -

功率耗散（最大值）3.1W（Ta）的

工作溫度-55°C~150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝8-SOIC

封裝/外殼8-SOIC（0.154“，3.90mm寬）

一般說明

AO4407A采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)

提供出色的RDS（ON）和超低低柵極電荷

具有25V柵極額定值。該設(shè)備適合用作

負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。

* RoHS和無鹵素投訴

產(chǎn)品摘要 AO4407A

VDS = -30V

ID = -12A（VGS = -20V）

RDS（ON）<11mΩ（VGS = -20V）

RDS（ON）<13mΩ（VGS = -10V）

RDS（ON）<17mΩ（VGS = -6V）

100％UIS經(jīng)過測試

100％Rg測試

AO4407A

答：RθJA的值是用安裝在1合2 FR-4板上的器件測量的，含2oz。銅，在靜止空氣環(huán)境中，T A = 25°C。該

任何給定應(yīng)用中的值取決于用戶的特定電路板設(shè)計(jì)。電流額定值基于t≤10s的熱阻額定值。

B：重復(fù)額定值，脈沖寬度受結(jié)溫限制。

C.RθJA是從結(jié)到引線RθJL的熱阻抗與導(dǎo)致環(huán)境的總和。

D.使用<300μs脈沖，占空比最大0.5％獲得圖1至圖6中的靜態(tài)特性。

E.這些測試是在裝有1英寸2 FR-4板和2盎司的裝置上進(jìn)行的。銅，在靜止空氣環(huán)境中，T A = 25°C。 SOA

曲線提供單脈沖額定值。

F.電流額定值基于t≤10s的熱阻額定值。

G. EAR和IAR額定值基于低頻和占空比，以保持Tj = 25℃。

                                   深圳市宏源世紀(jì)科技有限公司

 

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