AO3413 20V 3A SOT23 P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管
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AO3413-20V-3A-SOT23

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型號(hào) AO3413
品牌 AOS
封裝 SOT23
環(huán)保類別 無鉛環(huán)保型
安裝方式 貼片式
包裝方式 卷帶編帶包裝
功率特征 小功率
數(shù)量 12000
商品介紹

一般說明

AO3413采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)

提供出色的RDS（ON），低柵極電荷和

柵極電壓低至1.8V的操作。這個(gè)

該器件適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM

應(yīng)用。

特征:AO3413

VDS = -20V

ID = -3A（VGS = -4.5V）

RDS（ON）<80mΩ（VGS = - 4.5V）

RDS（ON）<100mΩ（VGS = -2.5V）

RDS（ON）<130mΩ（VGS = -1.8V）

AO3413

A：RθJA的值是用安裝在1合2 FR-4板上的器件測(cè)量的，含2oz。銅，在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。該

任何給定應(yīng)用中的值取決于用戶的特定電路板設(shè)計(jì)。電流額定值基于t≤10s的熱阻額定值。

B：重復(fù)額定值，脈沖寬度受結(jié)溫限制。

C.RθJA是從結(jié)到引線RθJL的熱阻抗與導(dǎo)致環(huán)境的總和。

D.使用300μs脈沖寬度，占空比最大0.5％獲得圖1至圖6中的靜態(tài)特性。

E.這些測(cè)試是在裝有1英寸2 FR-4板和2盎司的裝置上進(jìn)行的。銅，在靜止空氣環(huán)境中，T A = 25°C。 SOA

曲線提供單脈沖額定值。

AO3413

規(guī)格FET 類型P 溝道技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）20V電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）3A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，4.5V不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）97 毫歐 @ 3A，4.5V不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）1V @ 250μA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值）6.1nC @ 4.5VVgs（最大值）±8V不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）540pF @ 10VFET 功能-功率耗散（最大值）1.4W（Ta）工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型表面貼裝供應(yīng)商器件封裝SOT-23-3L


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公司名稱 深圳市宏源世紀(jì)科技有限公司
聯(lián)系賣家 林小姐 （QQ：2885049146）
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