規(guī)格AO4600L

FET類型N和P溝道

FET功能標準

AO4600L

漏源電壓（VDSS）30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C時）7.5A（Ta），5.6A（Ta）

不同Id，Vgs時的Rds On（最大值）23毫歐@ 7.5A，10V，42毫歐@ 5.6A，10V

不同Id時的Vgs（th）（最大值）1.5V @250μA，1.3V @250μA

不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值）12nC @ 4.5V，12.2nC @ 4.5V

不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）1100pF @ 15V，1200pF @ 15V

功率 - 最大值2W

工作溫度-55°C~150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

封裝/外殼8-SOIC（0.154“，3.90mm寬）

Featuresn-channelp溝道

VDS（V）= 30V-30VID = 6.9A（VGS = 10V）-5A（VGS = -10V）RDS（ON）<27mΩ<49mΩ（VGS = - 10V）<32mΩ<64mΩ（VGS = - 4.5V）< 50mΩ<120mΩ（VGS = -2.5V）

概述AO4600采用先進的溝槽技術，具有出色的RDS（ON）和低柵極電荷?；パaMOSFET構成高速功率逆變器，適用于多種應用。標準產(chǎn)品AO4600是無鉛的（符合ROHS和Sony 259規(guī)范）。 AO4600L是GreenProduct訂購選項。 AO4600和AO4600L在電氣上完全相同。

答：RθJA的值是用裝在1in2 FR-4板上的裝置測量的，裝有2oz。銅，在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。給定應用中的值取決于用戶的特定電路板設計。電流額定值基于t≤10s的熱阻額定值.B：重復額定值，脈沖寬度受結溫限制.C。 RθJA是從結到引線RθJL的熱阻抗和導致環(huán)境的總和。使用80μs脈沖獲得圖1至6中的靜態(tài)特性，占空比最大0.5％。這些測試是在安裝在1英寸2 FR-4板和2盎司的設備上進行的。銅，在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。 SOA曲線提供單脈沖額定值。