規(guī)格:AO4430

FET類型N溝道

技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（VDSS）30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）18A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大Rds On，最小Rds On）4.5V，10V

不同Id，Vgs時(shí)的Rds On（最大值）5.5毫歐@ 18A，10V

不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）2.5V @250μA

不同Vgs時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）124nC @ 10V

的Vgs（最大值）±20V

不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）7270pF @ 15V

FET功能 -

功率耗散（最大值）3W（Ta）的

工作溫度-55°C~150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝8-SOIC

封裝/外殼8-SOIC（0.154“，3.90mm寬）

一般說明

AO4430采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)

出色的RDS（ON），直通抗擾度，體二極管

特性和超低柵極電阻。這個(gè)設(shè)備是

非常適合用作筆記本CPU中的低側(cè)開關(guān)

核心電源轉(zhuǎn)換。

符合RoHS和無鹵素標(biāo)準(zhǔn)

產(chǎn)品摘要

AO4430

VDS（V）= 30V

ID = 18A（VGS = 10V）

RDS（ON）<5.5mΩ（VGS = 10V）

RDS（ON）<7.5mΩ（VGS = 4.5V）

100％UIS經(jīng)過測試

100％Rg測試

AO4430

A：RθJA的值是通過安裝在1英寸2 FR-4板上的裝置測量的，其中2盎司。銅，在靜止的空氣環(huán)境中

T A = 25℃。任何給定應(yīng)用中的值取決于用戶的特定電路板設(shè)計(jì)。

B：重復(fù)額定值，脈沖寬度受結(jié)溫限制。

C.RθJA是從結(jié)到引線RθJL的熱阻抗與導(dǎo)致環(huán)境的總和。

D.使用<300μs脈沖，占空比最大0.5％獲得圖1至圖6中的靜態(tài)特性。

E.這些測試是在裝有1英寸2 FR-4板和2盎司的裝置上進(jìn)行的。銅，在靜止空氣環(huán)境中，T A = 25°C。 SOA

曲線提供單脈沖額定值。

F.電流額定值基于t≤10s結(jié)與環(huán)境熱阻額定值。