規(guī)格:AO4421

FET類型P溝道

技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（VDSS）60V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）6.2A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大Rds On，最小Rds On）4.5V，10V

不同Id，Vgs時(shí)的Rds On（最大值）40毫歐@ 6.2A，10V

不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）3V @250μA

不同Vgs時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）55nC @ 10V

的Vgs（最大值）±20V

不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）2900pF @ 30V

FET功能 -

功率耗散（最大值）3.1W（Ta）的

工作溫度-55°C~150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝8-SOIC

一般說明

AO4421結(jié)合了先進(jìn)的溝槽MOSFET

技術(shù)采用低阻抗封裝提供

極低的RDS（ON）。該器件非常適合負(fù)載開關(guān)

和電池保護(hù)應(yīng)用。

產(chǎn)品摘要

AO4421

VDS -60V

ID（VGS = -10V）-6.2A

RDS（ON）（VGS = -10V）<40mΩ

RDS（ON）（VGS = -4.5V）<50mΩ

100％UIS經(jīng)過測(cè)試

100％Rg測(cè)試

AO4421

A：RθJA的值是通過安裝在1英寸2 FR-4板上的裝置測(cè)量的，其中2盎司。銅，在靜止空氣環(huán)境中，T A = 25°C。

任何給定應(yīng)用程序中的值取決于用戶的特定電路板設(shè)計(jì)。電流額定值基于t≤10s的熱量

阻力等級(jí)。

B：重復(fù)額定值，脈沖寬度受結(jié)溫限制。

C.RθJA是從結(jié)到引線RθJL的熱阻抗與導(dǎo)致環(huán)境的總和。

D.使用80μs脈沖獲得圖1至6,12,14中的靜態(tài)特性，占空比最大為0.5％。

E.這些測(cè)試是在裝有1英寸2 FR-4板和2盎司的裝置上進(jìn)行的。銅，在靜止空氣環(huán)境中，T A = 25°C。該

SOA曲線提供單脈沖評(píng)級(jí)。

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