一般說明

AO4441采用先進的溝槽技術提供

出色的RDS（ON）和超低的低柵極電荷。這個

該器件適合用作負載開關或PWM

應用。

產(chǎn)品摘要

AO4441

VDS -60V

ID（VGS = -10V）-4A

RDS（ON）（VGS = -10V）<100mΩ

RDS（ON）（VGS = -4.5V）<130mΩ

AO4441

A：RθJA的值是通過安裝在1英寸2 FR-4板上的裝置測量的，其中2盎司。銅，在靜止空氣環(huán)境中，T A = 25°C。該

任何給定應用中的值取決于用戶的特定電路板設計。電流額定值基于t≤10s的熱阻

評分。

B：重復額定值，脈沖寬度受結溫限制。

C.RθJA是從結到引線RθJL的熱阻抗與導致環(huán)境的總和。

D.使用80μs脈沖獲得圖1至6,12,14中的靜態(tài)特性，占空比最大為0.5％。

E.這些測試是在裝有1英寸2 FR-4板和2盎司的裝置上進行的。銅，在靜止空氣環(huán)境中，T A = 25°C。 SOA

曲線提供單脈沖額定值。

規(guī)格AO4441

FET類型P溝道

技術MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（VDSS）60V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C時）4A（Ta）

驅動電壓（最大Rds On，最小Rds On）4.5V，10V

不同Id，Vgs時的Rds On（最大值）100毫歐@ 4A，10V

不同Id時的Vgs（th）（最大值）3V @250μA

不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值）20nC @ 10V

的Vgs（最大值）±20V

不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）1120pF @ 30V

FET功能 -

功率耗散（最大值）3.1W（Ta）的

工作溫度-55°C~150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝8-SOIC