深圳世健存儲半導(dǎo)體有限公司
主營產(chǎn)品: 內(nèi)存芯片, 閃存芯片, 嵌入式存儲, 鐵電存儲, 現(xiàn)貨分銷
H5TQ4G63MFR-PBC-SKhynix原裝DDR3-現(xiàn)貨供應(yīng)
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¥15.20
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店鋪主推品 熱銷潛力款
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廖勤 銷售經(jīng)理
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經(jīng)營模式
經(jīng)營批發(fā)
所在地區(qū)
廣東省深圳市
主營產(chǎn)品
H5TQ4G63MFR-PBC SKhynix(海力士)DDR3 SDRAM存儲器 原廠原裝
生產(chǎn)商:SKhynix(海力士)
產(chǎn)品類別:第三代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
系列:-
存儲格式:DRAM
存儲技術(shù):SDRAM-DDR3
存儲容量:4Gb
存儲接口:并聯(lián)
SPEED(速度):-
時鐘頻率:-
寫入時間:-
訪問時間:-
電壓-電源:1.5V
工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:FBGA-78
原廠包裝:卷帶
零件狀態(tài):在售
產(chǎn)品用途:SKhynix(海力士)的DDR3 SDRAM存儲芯片主要應(yīng)用于服務(wù)器,智能電視,視頻監(jiān)控,汽車電子,物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,網(wǎng)絡(luò)機頂盒,通信設(shè)備,平板電腦等消費類以及工業(yè)類電子設(shè)備,SKhynix(海力士)是全球第三大存儲器產(chǎn)品供應(yīng)商。我司供應(yīng)的產(chǎn)品包含SKhynix(海力士)的DRAM,NAND閃存,嵌入式存儲eMMC,eMCP等全系列存儲產(chǎn)品。
DDR3L SDRAM(Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory)第三代低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)存儲器,是一種電腦存儲器規(guī)格。它屬于SDRAM家族的存儲器產(chǎn)品,提供相較于DDR2 SDRAM更高的運行性能與更低的功。DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計,目的就是為了應(yīng)對未來大容量芯片的需求。而DDR3L很可能將從2Gb容量起步,因此起始的邏輯Bank就是8個,另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準(zhǔn)備。封裝方面(Packages)DDR3L由于新增了一些功能,所以在引腳方面有所增加,8bit芯片采用78球FBGA封裝,16bit芯片采用96球FBGA封裝,而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規(guī)格。并且DDR3L必須是綠色封裝,不能含有任何有害物質(zhì)。關(guān)于突發(fā)長度(BL,Burst Length)由于DDR3的預(yù)取為8bit,所以突發(fā)傳輸周期(BL,Burst Length)也固定為8,而對于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng),BL=4也是常用的,DDR3L為此增加了一個4-bit Burst Chop(突發(fā)突變)模式,即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸,屆時可通過A12地址線來控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是,任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3L內(nèi)存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制(如4bit順序突發(fā))。在尋址時序方面(Timing)就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來后延遲周期數(shù)增加一樣,DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2至5之間,而DDR3L則在5至11之間,且附加延遲(AL)的設(shè)計也有所變化。DDR2時AL的范圍是0至4,而DDR3L時AL有三種選項,分別是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3L還新增加了一個時序參數(shù)——寫入延遲(CWD),這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。 從環(huán)保角度去看,降低功耗對業(yè)界是有著實實在在的貢獻(xiàn)的,全球的PC每年的耗電量相當(dāng)驚人,即使是每臺PC減低1W的幅度,它的省電量都是非??捎^的。DDR3L內(nèi)存在達(dá)到高帶寬的同時,其功耗反而可以降低,其核心工作電壓從DDR2的1.8V降至1.5V,相關(guān)數(shù)據(jù)預(yù)測DDR3L將比現(xiàn)時DDR2節(jié)省30%的功耗,當(dāng)然發(fā)熱量我們也不需要擔(dān)心。就帶寬和功耗之間作個平衡,對比現(xiàn)有的DDR2-800產(chǎn)品,DDR3-800、1066及1333的功耗比分別為0.72X、0.83X及0.95X,不但內(nèi)存帶寬大幅提升,功耗表現(xiàn)也比DDR2更好。
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