深圳世健存儲(chǔ)半導(dǎo)體有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品: 內(nèi)存芯片, 閃存芯片, 嵌入式存儲(chǔ), 鐵電存儲(chǔ), 現(xiàn)貨分銷
H5TC4G83MFR-PBA-SKhynix原裝DDR3-現(xiàn)貨供應(yīng)
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所在地區(qū)
廣東省深圳市
主營(yíng)產(chǎn)品
H5TC4G83MFR-PBA SKhynix(海力士)DDR3L SDRAM存儲(chǔ)器 原廠原裝
生產(chǎn)商:SKhynix(海力士)
產(chǎn)品類別:第三代低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
系列:-
存儲(chǔ)格式:DRAM
存儲(chǔ)技術(shù):SDRAM-DDR3L
存儲(chǔ)容量:4Gb
存儲(chǔ)接口:并聯(lián)
SPEED(速度):-
時(shí)鐘頻率:-
寫入時(shí)間:-
訪問時(shí)間:-
電壓-電源:1.35V
工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:FBGA-78
原廠包裝:卷帶
零件狀態(tài):在售
產(chǎn)品用途:SKhynix(海力士)的DDR3L SDRAM存儲(chǔ)芯片主要應(yīng)用于服務(wù)器,智能電視,視頻監(jiān)控,汽車電子,物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,網(wǎng)絡(luò)機(jī)頂盒,通信設(shè)備,平板電腦等消費(fèi)類以及工業(yè)類電子設(shè)備,SKhynix(海力士)是全球第三大存儲(chǔ)器產(chǎn)品供應(yīng)商。我司供應(yīng)的產(chǎn)品包含SKhynix(海力士)的DRAM,NAND閃存,嵌入式存儲(chǔ)eMMC,eMCP等全系列存儲(chǔ)產(chǎn)品。
DDR3L SDRAM(Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory)第三代低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器,是一種電腦存儲(chǔ)器規(guī)格。它屬于SDRAM家族的存儲(chǔ)器產(chǎn)品,提供相較于DDR2 SDRAM更高的運(yùn)行性能與更低的功。DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計(jì),目的就是為了應(yīng)對(duì)未來大容量芯片的需求。而DDR3L很可能將從2Gb容量起步,因此起始的邏輯Bank就是8個(gè),另外還為未來的16個(gè)邏輯Bank做好了準(zhǔn)備。封裝方面(Packages)DDR3L由于新增了一些功能,所以在引腳方面有所增加,8bit芯片采用78球FBGA封裝,16bit芯片采用96球FBGA封裝,而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規(guī)格。并且DDR3L必須是綠色封裝,不能含有任何有害物質(zhì)。關(guān)于突發(fā)長(zhǎng)度(BL,Burst Length)由于DDR3的預(yù)取為8bit,所以突發(fā)傳輸周期(BL,Burst Length)也固定為8,而對(duì)于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng),BL=4也是常用的,DDR3L為此增加了一個(gè)4-bit Burst Chop(突發(fā)突變)模式,即由一個(gè)BL=4的讀取操作加上一個(gè)BL=4的寫入操作來合成一個(gè)BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸,屆時(shí)可通過A12地址線來控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是,任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3L內(nèi)存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制(如4bit順序突發(fā))。在尋址時(shí)序方面(Timing)就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來后延遲周期數(shù)增加一樣,DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2至5之間,而DDR3L則在5至11之間,且附加延遲(AL)的設(shè)計(jì)也有所變化。DDR2時(shí)AL的范圍是0至4,而DDR3L時(shí)AL有三種選項(xiàng),分別是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3L還新增加了一個(gè)時(shí)序參數(shù)——寫入延遲(CWD),這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。 從環(huán)保角度去看,降低功耗對(duì)業(yè)界是有著實(shí)實(shí)在在的貢獻(xiàn)的,全球的PC每年的耗電量相當(dāng)驚人,即使是每臺(tái)PC減低1W的幅度,它的省電量都是非??捎^的。DDR3L內(nèi)存在達(dá)到高帶寬的同時(shí),其功耗反而可以降低,其核心工作電壓從DDR2的1.8V降至1.5V,相關(guān)數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)DDR3L將比現(xiàn)時(shí)DDR2節(jié)省30%的功耗,當(dāng)然發(fā)熱量我們也不需要擔(dān)心。就帶寬和功耗之間作個(gè)平衡,對(duì)比現(xiàn)有的DDR2-800產(chǎn)品,DDR3-800、1066及1333的功耗比分別為0.72X、0.83X及0.95X,不但內(nèi)存帶寬大幅提升,功耗表現(xiàn)也比DDR2更好。
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