規(guī)格書：AON7520

http://aosmd.com/res/data_sheets/AON7520.pdf
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 48A（Ta），50A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 1.8 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 105nC @ 10V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 4175pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 6.2W（Ta），83.3W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-DFN-EP（3.3x3.3）
封裝/外殼 8-PowerWDFN

                                   深圳市宏源世紀(jì)科技有限公司

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