規(guī)格書：AON7424

http://aosmd.com/res/data_sheets/AON7424.pdf

規(guī)格 AON7424

FET類型N溝道

技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（VDSS）30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）18A（Ta），40A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大Rds On，最小Rds On）4.5V，10V

不同Id，Vgs時(shí)的Rds On（最大值）5.2毫歐@ 20A，10V

不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）2.3V @250μA

不同Vgs時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）60nC @ 10V

的Vgs（最大值）±20V

不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）3450pF @ 15V

FET功能 -

功率耗散（最大值）3.1W（Ta）的，36W（TC）

工作溫度-55°C~150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝8-DFN（3×3）

封裝/外殼8 PowerSMD，扁平引線

一般說明 AON7424

AON7424結(jié)合了先進(jìn)的溝槽MOSFET

技術(shù)采用低阻抗封裝提供

極低的RDS（ON）。該器件非常適合負(fù)載開關(guān)

和電池保護(hù)應(yīng)用。

產(chǎn)品摘要 AON7424

VDS 30V

ID（VGS = 10V）40A

RDS（ON）（VGS = 10V）<5.2mΩ

RDS（ON）（VGS = 4.5V）<7.5mΩ

ESD保護(hù)

100％UIS經(jīng)過測(cè)試

100％Rg測(cè)試

AON7424

A.使用安裝在1in2上的設(shè)備測(cè)量RθJA的值

FR-4板，2盎司。銅，在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。該

功耗PDSM基于RθJAT≤10s值，最大允許結(jié)溫為150°C。任何給定的價(jià)值

應(yīng)用取決于用戶的特定電路板設(shè)計(jì)，如果PCB允許，可以使用150°C的最高溫度。

B.功耗PD基于TJ（MAX）= 150°C，采用結(jié)殼熱阻，在設(shè)置上部時(shí)更有用

使用額外散熱的情況下的耗散極限。

C.重復(fù)額定值，脈沖寬度受結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C的限制。額定值基于低頻率和占空比來保持

初始TJ = 25℃。

D.RθJA是結(jié)點(diǎn)與情況RθJC和情況與環(huán)境之間的熱阻抗之和。

E.使用<300μs脈沖，占空比最大0.5％獲得圖1至圖6中的靜態(tài)特性。

F.這些曲線基于結(jié)到殼體的熱阻抗，該阻抗是通過安裝在大型散熱器上的裝置測(cè)量的，

假設(shè)最大結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C。 SOA曲線提供單脈沖ratin g。

G.最大額定電流是封裝限制的。

H.這些測(cè)試是在1英寸2安裝的設(shè)備上進(jìn)行的

FR-4板，2盎司。銅，在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。

                                   深圳市宏源世紀(jì)科技有限公司

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