本公司營(yíng)ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國(guó)際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：IGBT晶體管 RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 封裝/箱體：TO-247-3 安裝風(fēng)格：通孔 配置：?jiǎn)?集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO：1.2 kV 集電極—射極飽和電壓：3.7 V 正極/發(fā)射極最大電壓：20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流：45 A Pd-功率耗散：200 W IGBT晶體管最小工作溫度：-55 C IGBT晶體管最大工作溫度：+ 150 C 封裝：Tube 集電極最大連續(xù)電流Ic：45 A 高度：20.3毫米 長(zhǎng)度：15.9毫米 寬度：5.3毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 產(chǎn)品類型：IGBT晶體管 工廠包裝數(shù)量：400 子類別：IGBT 零件號(hào)別名：IRG4PH50UDPBF SP001542126 單位重量：38 g 特征 •UltraFast：針對(duì)硬切換，針對(duì)高達(dá)40 kHz的高工作頻率進(jìn)行了優(yōu)化， 諧振模式下> 200 kHz •新的IGBT設(shè)計(jì)提供更緊密的 參數(shù)分布和效率比前幾代高 •IGBT與HEXFREDTM超快封裝在一起， 用于橋配置的超軟恢復(fù)反并聯(lián)二極管 •行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-247AC封裝 •無鉛 好處 •比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的IGBT具有更高的開關(guān)頻率能力 •最高效率 •HEXFRED二極管針對(duì)IGBT的性能進(jìn)行了優(yōu)化。 最小化恢復(fù)特性要求 更少/沒有冷漠 最大絕對(duì)額定值 Parameter Max. Units VCES Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 1200 V IC @ TC = 25°C Continuous Collector Current 45 A IC @ TC = 100°C Continuous Collector Current 24 ICM Pulsed Collector Current CD 180 ILM Clamped Inductive Load Current � 180 IF @ TC = 100°C Diode Continuous Forward Current 16 IFM Diode Maximum Forward Current 180 VGE Gate-to-Emitter Voltage ± 20 V PD @ TC = 25°C Maximum Power Dissipation 200 W PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation 78 TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (0.063 in. (1.6mm) from case ) Mounting torque, 6-32 or M3 screw. 10 lbf•in (1.1N•m)