ITC57300動(dòng)態(tài)測(cè)試儀替代品天光測(cè)控IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試
ITC57300動(dòng)態(tài)測(cè)試儀替代品天光測(cè)控IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試
ITC57300動(dòng)態(tài)測(cè)試儀替代品天光測(cè)控IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試
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品牌 天光測(cè)控
型號(hào) ST-DP_X(1500V600A)
測(cè)量范圍 1500V/600A
測(cè)量精度 VGE±1% ±0.2V
短路電流 2500A
測(cè)試范圍 IGBTs,MOSFETs, Diode
測(cè)試能力 Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg
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ITC57300動(dòng)態(tài)測(cè)試儀替代品天光測(cè)控IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試



系統(tǒng)概述

IGBT是廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代中、大功率變換器中的主流半導(dǎo)體開關(guān)器件,其開關(guān)特性決定裝置的開關(guān)損耗、功率密度、器件應(yīng)力以及電磁兼容性,直接影響變換器的性能。因此準(zhǔn)確測(cè)量功率開關(guān)元件的開關(guān)性能具有極其重要的實(shí)際意義。

西安天光測(cè)控技術(shù)有限公司IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,該系統(tǒng)是針對(duì)IGBT器件的開關(guān)性特性及IGBT內(nèi)部續(xù)流二極管的反向恢復(fù)特性而專門設(shè)計(jì)的一套全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng),適用于電流不超過1500A和集電極電壓不超過3500V的IGBT器件開關(guān)時(shí)間測(cè)試以及正向電流不超過2000A的二極管反向恢復(fù)特性的測(cè)試。

基礎(chǔ)規(guī)格

規(guī)    格:1800×800×800(mm)

質(zhì)    量:155Kg

環(huán)境溫度:15~40℃

相對(duì)濕度:小于80%

大氣壓力:86Kpa~ 106Kpa

電網(wǎng)電壓:AC220V±10%無嚴(yán)重諧波

電網(wǎng)頻率:50Hz±1Hz


參數(shù)/條件

 

IGBT開通特性測(cè)試

IGBT關(guān)斷特性測(cè)試

測(cè)試氣動(dòng)夾具

測(cè)試參數(shù)

開通延遲 tdon

10-1000ns±5%±10ns

Tj=25℃和125℃

關(guān)斷時(shí)間tdoff

10-1000ns±5%±10ns

Tj=25℃和125℃

壓力:

5000PA的品牌空壓機(jī)供氣。

控溫范圍:

25℃-200℃

控溫精度:

±1.0℃±1%

器件接觸:

20個(gè)探針的接觸矩陣


上升時(shí)間

tr

10-1000ns±5%±10ns

Tj=25℃和125℃

下降時(shí)間tf

10-1000ns±5%±10ns

Tj=25℃和125℃

開通能量

Eon

10-1000ns±5%±10ns

Tj=25℃和125℃

關(guān)斷能量Eoff

10-1000ns±5%±10ns

Tj=25℃和125℃

測(cè)試條件

集電極電壓Vce

50-3500V±5%

根據(jù)用戶要求定制

集電極電壓Vce

50-3500V±5%

根據(jù)用戶要求定制

集電極電流Ice

50-1500V±5%

根據(jù)用戶要求定制

集電極電流Ice

50-1500V±5%

根據(jù)用戶要求定制

負(fù)載L

20-1000uH

L負(fù)載

20-1000uH

柵極電壓Vge

±15V±3%±0.2V



短路測(cè)試Sct

一次短路 / 脈寬10uS / 短路電流10KA

二極管反向恢復(fù)測(cè)試Drr

反向恢復(fù)電流 / 反向時(shí)間 / 反向di / dt

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公司名稱 西安天光測(cè)控技術(shù)有限公司
聯(lián)系賣家 張先生
手機(jī) 祺祵祹祸祶祻祳祷祺祳祲
地址 陜西省西安市
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