一般說明

AON2801采用先進的溝槽技術

提供出色的RDS（ON），低柵極電荷和

柵極電壓低至1.8V的操作。這個

該器件適合用作負載開關或PWM

應用。AON2801

RoHS和無鹵素兼容

特征 AON2801

VDS（V）= -20V

ID = -3A（VGS = -4.5V）

RDS（ON）<120mΩ（VGS = -4.5V）

RDS（ON）<160mΩ（VGS = -2.5V）

RDS（ON）<200mΩ（VGS = -1.8V）

AON2801

A：RθJA的值是通過安裝在1英寸2 FR-4板上的裝置測量的，其中2盎司。銅，在靜止空氣環(huán)境中，T A = 25°C。該

功耗PDSM基于RθJA，最大允許結溫為150°C。任何給定應用程序中的值取決于

根據(jù)用戶的特定電路板設計，如果PCB允許，可以使用150°C的最高溫度。

B.使用安裝在最小墊板上的器件測量RθJA的值為2oz。銅，在靜止空氣環(huán)境中，T A = 25°C。

功耗PDSM基于RθJA，最大允許結溫為150°C。任何給定應用程序中的值

取決于用戶的特定電路板設計，如果PCB允許，可以使用150°C的最高溫度。

C.RθJA是從結到外殼RθJC和外殼到環(huán)境的熱阻抗的總和。

D.使用<300μs脈沖，占空比最大0.5％獲得圖1至圖6中的靜態(tài)特性。

E.這些測試是在裝有1英寸2 FR-4板和2盎司的裝置上進行的。銅，在靜止空氣環(huán)境中，T A = 25°C。 SOA

曲線提供單脈沖額定值。

*數(shù)據(jù)代碼7111（2007年10月15日）后，此設備保證為綠色。

AON2801

規(guī)格FET 類型2 個 P 溝道（雙）FET 功能邏輯電平門漏源電壓（Vdss）20V電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）3A不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）120 毫歐 @ 3A，4.5V不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）1V @ 250μA不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）6.5nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）700pF @ 10V功率 - 最大值1.5W工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型表面貼裝封裝/外殼6-WDFN 裸露焊盤供應商器件封裝6-DFN-EP（2x2）