本公司營(yíng)ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國(guó)際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：IGBT晶體管 RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 封裝/箱體：TO-247AC-3 安裝風(fēng)格：通孔 配置：?jiǎn)?集電極—發(fā)射極MAX電壓VCEO：650 V 集電極—射極飽和電壓：1.7 V 正極/發(fā)射極MAX電壓：20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流：70 A Pd-功率耗散：273 W IGBT晶體管MIN工作溫度：-40 C IGBT晶體管MAX工作溫度：+ 175 C 系列：TRENCHSTOP 封裝：Tube 高度：20.7毫米 長(zhǎng)度：15.87毫米 寬度：5.31毫米 商標(biāo)：Infineon Technologies 正極—射極漏泄電流：100 nA 產(chǎn)品類型：IGBT晶體管 工廠包裝數(shù)量：25 子類別：IGBT 商標(biāo)名：TRENCHSTOP 零件號(hào)別名：SP001546176 單位重量：426毫克 應(yīng)用領(lǐng)域 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng) UPS 太陽(yáng)能逆變器 焊接 特征 低VCE（ON）和開(kāi)關(guān)損耗 5.5μs短路SOA 方形RBSOA 至多結(jié)溫175°C 正VCE（ON）溫度系數(shù) 無(wú)鉛，符合RoHs 優(yōu)點(diǎn) 廣泛應(yīng)用中的高效率 堅(jiān)固的瞬態(tài)性能 可靠性更高 并聯(lián)運(yùn)行中出色的電流共享 環(huán)保的 額定值 Parameter Max. Units VCES Collector-to-Emitter Voltage 650 V IC @ TC = 25°C Continuous Collector Current 70 A IC @ TC = 100°C Continuous Collector Current 50 ICM Pulse Collector Current, VGE = 15V 105 ILM Clamped Inductive Load Current, VGE = 20V  140 IF @ TC = 25°C Diode Continuous Forward Current 80 IF @ TC = 100°C Diode Continuous Forward Current 50 IFM Diode Maximum Forward Current … 140 VGE Continuous Gate-to-Emitter Voltage ±20 V PD @ TC = 25°C Maximum Power Dissipation 273 W PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation 136 TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -40 to +175 C Soldering Temperature, for 10 sec. 300 (0.063 in. (1.6mm) from case) Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw 10 lbf·in (1.1 N·m)