本公司營ADI亞德諾、ST意法半導體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：IGBT晶體管 RoHS：詳細信息 技術：Si 封裝/箱體：TO-220-3 安裝風格：通孔 配置：單 集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO：600 V 集電極—射極飽和電壓：2.21 V 正極/發(fā)射極最大電壓：20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流：28 A Pd-功率耗散：100 W IGBT晶體管最小工作溫度：-55 C IGBT晶體管最大工作溫度：+ 150 C 封裝：Tube 集電極最大連續(xù)電流Ic：28 A 高度：8.77毫米 長度：10.54毫米 寬度：4.69毫米 商標：Infineon Technologies 正極—射極漏泄電流：100 nA 產(chǎn)品類型：IGBT晶體管 工廠包裝數(shù)量：1000 子類別：IGBT 零件號別名：SP001532644 單位重量：6 g 特征 •高短路額定值針對電機控制進行了優(yōu)化， tsc = 10μs，@ 360V VCE（開始），TJ = 125°C，VGE = 15V •兼具低傳導損耗和高開關速度 •比前幾代產(chǎn)品更緊密的參數(shù)分布和更高的效率 •IGBT與HEXFREDTM超快封裝在一起， 超軟恢復反并聯(lián)二極管 •無鉛 好處 •最新一代的4 IGBT可提供最高功率密度的電機控制 •HEXFREDTM二極管針對IGBT的性能進行了優(yōu)化。 恢復特性最小化可降低噪聲，EMI和開關損耗 •該部分替代了IRGBC30KD2和IRGBC30MD2產(chǎn)品 最大絕對額定值 Parameter Max. Units VCES Collector-to-Emitter Voltage 600 V IC @ TC = 25°C Continuous Collector Current 28 A IC @ TC = 100°C Continuous Collector Current 16 ICM Pulsed Collector Current CD 56 ILM Clamped Inductive Load Current 0 56 IF @ TC = 100°C Diode Continuous Forward Current 12 IFM Diode Maximum Forward Current 58 tsc Short Circuit Withstand Time 10 μs VGE Gate-to-Emitter Voltage 士 20 V PD @ TC = 25°C Maximum Power Dissipation 100 W PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation 42 TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to +150 °C Soldering Temperature, for 10 sec. 300 (0.063 in. (1.6mm) from case) Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw. 10 lbf•in (1.1 N•m)