本公司營(yíng)ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國(guó)際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。

制造商：Infineon
產(chǎn)品種類：IGBT晶體管
RoHS：詳細(xì)信息
技術(shù)：Si
封裝/箱體：TO-247-3
安裝風(fēng)格：通孔
配置：?jiǎn)?br /> 集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO：600 V
集電極—射極飽和電壓：2.2 V
正極/發(fā)射極最大電壓：20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流：52 A
Pd-功率耗散：104 W
IGBT晶體管最小工作溫度：-55 C
IGBT晶體管最大工作溫度：+ 150 C
封裝：Tube
集電極最大連續(xù)電流Ic：52 A
高度：20.3毫米
長(zhǎng)度：15.9毫米
寬度：5.3毫米
商標(biāo)：Infineon / IR
產(chǎn)品類型：IGBT晶體管
工廠包裝數(shù)量：400
子類別：IGBT
零件號(hào)別名：IRG4PC50KDPBF SP001540572
單位重量：38 g

特征
短路額定電壓：針對(duì)大于5.0 KHZ的高工作頻率和125C短路率進(jìn)行優(yōu)化，VGE=15V
與第三代相比，第4代IGBT設(shè)計(jì)提供了更緊密的參數(shù)分布和更高的效率
IGBT與HEXFRED ultrafastultra soft recovery反并聯(lián)二極管共封裝，用于橋式確認(rèn)
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-247AC包裝
無(wú)鉛

優(yōu)點(diǎn)
第4代IGBT提供最高效率
HEXFRED二極管優(yōu)化性能，具有IGB最小的恢復(fù)特性，需要更少/無(wú)需點(diǎn)剎
設(shè)計(jì)為替代同等工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)第3代IR IGBT

絕對(duì)最大額定值放大器集電極對(duì)發(fā)射極電壓Iq Tc=25°c連續(xù)集電極電流

[c 0 Tc=100°c連續(xù)集電極電流脈沖集電極電流OA箝位電感負(fù)載電流

aIFO Tc=100二極管連續(xù)正向電流25二極管最大正向電流短路耐受時(shí)間

門(mén)到發(fā)射極Tc=25C時(shí)的電壓最大功耗200po Tc=100C最大功耗操作接頭

和-55to+150儲(chǔ)存溫度和焊接溫度，從外殼安裝扭矩起10秒300（0.063英寸（1.6毫米），

6-32或M3 Scew10磅力+英寸（1.1 N-m電壓最大功耗200po Tc=100C最大功耗操作接頭