本公司營(yíng)ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國(guó)際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。

制造商：Infineon
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：詳細(xì)信息
技術(shù)：Si
安裝風(fēng)格：SMD / SMT
封裝/箱體：DirectFET-SJ
晶體管極性：N溝道
通道數(shù)量：1個(gè)頻道
Vds-漏源極擊穿電壓：100 V
Id-連續(xù)直流電流：5.7 A
Rds上漏源導(dǎo)通電阻：28毫歐
Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V
Qg-血漿甲醛：14 nC
最小工作溫度：-40 C
最大工作溫度：+ 150 C
Pd-功率耗散：42 W
通道模式：增強(qiáng)
商標(biāo)名：DirectFET
封裝：剪切帶
封裝：MouseReel
封裝：Reel
配置：?jiǎn)?br /> 高度：0.7毫米
長(zhǎng)度：4.85毫米
晶體管類型：1 N溝道
寬度：3.95毫米
商標(biāo)：Infineon / IR
下降時(shí)間：5.1 ns
產(chǎn)品類型：MOSFET
上升時(shí)間：5 ns
工廠包裝數(shù)量：4800
子類別：MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：18 ns
典型起始延遲時(shí)間：9.2 ns
零件號(hào)別名：IRF6645TRPBF SP001562050
符合RoHS，無(wú)鹵素
無(wú)鉛（符合260°C回流焊標(biāo)準(zhǔn)）
專用MOSFET
高性能隔離轉(zhuǎn)換器的理想選擇
主開(kāi)關(guān)插座
針對(duì)同步整流進(jìn)行了優(yōu)化
低傳導(dǎo)損耗
高Cdv / dt免疫力
薄型（<0.7mm）
雙面散熱兼容
與現(xiàn)有的表面貼裝技術(shù)兼容
描述
IRF6645PbF將最新的HEXFET®功率MOSFET硅技術(shù)與先進(jìn)的DirectFETTM封裝相結(jié)合，以實(shí)現(xiàn)
具有Micro8占位面積和只有0.7 mm外形的封裝中具有最低的導(dǎo)通狀態(tài)電阻。 DirectFET封裝與
電力應(yīng)用，PCB組裝設(shè)備和氣相，紅外或?qū)α骱附蛹夹g(shù)中使用的現(xiàn)有布局幾何形狀，
關(guān)于制造方法和過(guò)程，請(qǐng)遵循應(yīng)用筆記AN-1035。 DirectFET封裝允許雙面冷卻
最大化電力系統(tǒng)中的熱傳遞，將以前的最佳熱阻提高80％。
IRF6645PbF針對(duì)隔離式DC-DC應(yīng)用中的初級(jí)側(cè)橋拓?fù)溥M(jìn)行了優(yōu)化，適用于廣泛的通用輸入電信
應(yīng)用（36V-75V），以及用于穩(wěn)壓DC-DC拓?fù)渲械拇渭?jí)側(cè)同步整流。減少設(shè)備的總損耗
結(jié)合高水平的熱性能可實(shí)現(xiàn)高效率和低溫，這對(duì)于系統(tǒng)可靠性至關(guān)重要
改進(jìn)，使該器件非常適合高性能隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器。