本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：通孔 封裝/箱體：TO-220-3 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：55 V Id-連續(xù)直流電流：175 A Rds上漏源導(dǎo)通電阻：4.7毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V Qg-萘甲酸：150 nC 最小工作溫度：-55 C 最大工作溫度：+ 175 C Pd-功率耗散：330 W 封裝：Tube 配置：單 高度：15.65毫米 長度：10毫米 晶體管類型：1 N溝道 寬度：4.4毫米 商標(biāo)：Infineon Technologies 正向跨導(dǎo)-預(yù)期：91 S 下降時間：110 ns 產(chǎn)品類型：MOSFET 上升時間：120 ns 工廠包裝數(shù)量：1000 子類別：MOSFET 典型關(guān)閉延遲時間：68 ns 典型起始延遲時間：14 ns 零件號別名：IRF2805PBF SP001559506 單位重量：6 g 典型應(yīng)用 •工業(yè)電機(jī)驅(qū)動 特征 •先進(jìn)的工藝技術(shù) •超低導(dǎo)通電阻 •175°C工作溫度 •快速切換 •重復(fù)雪崩允許最大Tjmax •無鉛 描述 這款HEXFET®功率MOSFET利用最新的處理技術(shù)， 使每個硅面積的導(dǎo)通電阻極低。 此設(shè)計的其他 功能是175°C的結(jié)溫，快速的開關(guān)速度和改進(jìn)的 重復(fù)雪崩額定值。 這些功能相結(jié)合，使該設(shè)計 成為一種非常有效和可靠的設(shè)備，可用于多種應(yīng)用。 最大絕對額定值 Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon limited) 175 A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (See Fig.9) 120 ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package limited) 75 IDM Pulsed Drain Current CD 700 PD @TC = 25°C Power Dissipation 330 W Linear Derating Factor 2.2 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V EAS Single Pulse Avalanche Energy0 450 mJ EAS (6 sigma) Single Pulse Avalanche Energy Tested Value<v 1220 IAR Avalanche CurrentCD See Fig.12a, 12b, 15, 16 A EAR Repetitive Avalanche Energy® mJ TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting Torque, 6-32 or M3 screw 1.1 (10) N•m (lbf•in)