我們可以提供的半導(dǎo)體材料領(lǐng)域5N-7N的高純及超高純材料，這些材料廣泛用于半導(dǎo)體材料，高純合金，紅外材料，太陽能電池材料的制備。

常規(guī)產(chǎn)品明細(xì)如下：

高純銻 Sb 5N-7N 晶體顆粒

高純鉍 Bi 5N 6N 顆粒 粉末

高純鎘 Cd 5N-7N 顆粒 錠 粉末 片狀

高純銅 Cu 5N 6N 顆粒

高純銦 In 5N-7N 顆粒 錠 粉末

高純磷 P 5N 6N 塊狀

高純鉛 Pb 5N-7N 顆粒 粉末

高純硒 Se 5N-6N 顆粒 錠 粉末

高純碲 Te 5N-7N 顆粒 粉末

高純硫 S 5N 6N 粉末 塊狀

高純錫 Sn 5N 6N 顆粒 錠

高純鋅 Zn 5N 6N 顆粒 錠 棒

稀土化合物材料

中諾新材可以提供多種高純稀土化合物材料，滿足您在不同實(shí)驗(yàn)條件下的使用需求。

常用稀土化合物如下：

氧化鈧 Sc2O3 99.99 氧化釓 Gd2O3 99.99

氧化釔 Y2O3 99.99 氧化鋱 Tb2O3 99.95

氧化鑭 La2O3 99.999 氧化鏑 Dy2O3 99.99

氧化鈥 Ho2O3 99.99

氧化鐠 Pr6O11 99.9 氧化鉺 Er3O3 99.99

氧化釹 Nd2O3 99.9 氧化銩 Tm2O3 99.99

氧化釤 Sm2O3 99.99 氧化鐿 Yb2O3 99.99

氧化銪 Eu2O3 99.99 氧化镥 Lu2O3 99.99

供貨狀態(tài)：

粉末：3-5um 300目，部分可以提供納米粉

靶材：可定制各種尺寸稀土化合物靶材

顆粒： 1-3mm，壓片狀等

中諾新材可根據(jù)您的需求，為您定制不同化合物，不同比例的摻雜靶材。通過球磨制粉，共沉積制粉，真空熱壓燒結(jié)，常壓燒結(jié)等工藝，可保證靶材摻雜比例準(zhǔn)確，摻雜相單一，致密度高。

部分定制靶材如下：

氧化銦錫 ITO In2O3:SnO2=90:10 wt%

氧化鋅鋁 AZO ZnO:Al2O3=98:2 wt%

銅銦硒 CIGS Cu:In:Ga:Se=1:0.7:0.3:2 at%

氧化鋅摻雜氧化鎂等

氧化銦鋅 IGZO In:Ga:Zn=2:2:1 at%

鈦鋯酸鉛 PZT Pb1.2Zr0.52Ti0.48O3

鍺銻碲 GST Ge:Sb:Te=2:2:5 at%