本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：SMD / SMT 封裝/箱體：TO-252-3 晶體管極性：P-Channel 通道數(shù)量：1個頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：55 V Id-連續(xù)直流電流：31 A Rds上漏源導(dǎo)通電阻：65毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V Qg-血漿甲醛：42 nC 最小工作溫度：-55 C 最大工作溫度：+ 175 C Pd-功率耗散：110 W 通道模式：增強(qiáng) 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：單 高度：2.3毫米 長度：6.5毫米 晶體管類型：1 P通道 類型：HEXFET功率MOSFET 寬度：6.22毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 正向跨導(dǎo)-預(yù)期：8 S 下降時間：63 ns 產(chǎn)品類型：MOSFET 上升時間：66 ns 工廠包裝數(shù)量：2000 子類別：MOSFET 典型關(guān)閉延遲時間：39 ns 典型起始延遲時間：14 ns 零件號別名：IRFR5305TRPBF SP001557082 單位重量：4 g 特征 •超低導(dǎo)通電阻 •表面貼裝（IRFR5305） •直引線（IRFU5305） •先進(jìn)的工藝技術(shù) •快速切換 •完全雪崩等級 •無鉛 描述 國際整流器公司的第五代HEXFET采用先進(jìn)的處理技術(shù)， 以實(shí)現(xiàn)極低的每硅面積導(dǎo)通電阻。 這項(xiàng)優(yōu)勢與HEXFET® 功率MOSFET眾所周知的快速開關(guān)速度和堅(jiān)固耐用的器件 設(shè)計(jì)相結(jié)合，為設(shè)計(jì)人員提供了一種非常有效和可靠的 器件，可廣泛用于各種應(yīng)用中。 D-Pak專為使用氣相，紅外或波峰焊技術(shù)進(jìn)行表面安裝而設(shè)計(jì)。 直引線版本（IRFU系列）用于通孔安裝應(yīng)用。 在典型的表面貼裝應(yīng)用中，功耗可能高達(dá)1.5瓦。 最大絕對額定值 Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V -31 A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V -22 IDM Pulsed Drain Current CD® -110 PD @TC = 25°C Power Dissipation 110 W Linear Derating Factor 0.71 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V EAS Single Pulse Avalanche Energy0® 280 mJ IAR Avalanche CurrentCD® -16 A EAR Repetitive Avalanche EnergyCD 11 mJ dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt a>® -5.0 V/ns TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting torque, 6-32 or M3 srew 10 lbf•in (1.1N•m)