本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細信息 技術(shù)：Si 安裝風格：通孔 封裝/箱體：TO-220-3 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：100 V Id-連續(xù)直流電流：180 A Rds上漏源導(dǎo)通電阻：3.7毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Qg-萘甲酸：150 nC Pd-功率耗散：370 W 封裝：Tube 配置：單 高度：15.65毫米 長度：10毫米 晶體管類型：1 N溝道 寬度：4.4毫米 商標：Infineon / IR 產(chǎn)品類型：MOSFET MOSFET工廠包裝數(shù)量：1000 子類別：MOSFET 零件號別名：IRFB4110PBF SP001570598 單位重量：6 g 應(yīng)用領(lǐng)域 •SMPS中的高效同步整流 •不間斷電源供應(yīng) •高速電源開關(guān) •硬開關(guān)和高頻電路 好處 •改進的Gate，雪崩和動態(tài)dv / dt堅固性 •完全表征的電容和雪崩SOA •增強體二極管dV / dt和dI / dt能力 •無鉛 •符合RoHS，無鹵素 最大絕對額定值 Symbol Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) 180G) A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) 130G) ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited) 120 IDM Pulsed Drain Current (?) 670 PD @TC = 25°C Maximum Power Dissipation 370 W Linear Derating Factor 2.5 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V dv/dt Peak Diode Recovery @) 5.3 V/ns TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) 300 Mounting torque, 6-32 or M3 screw 10lb"in (1.1N"m) 熱阻 Symbol Parameter Typ. Max. Units RqJC Junction-to-Case ® ––– 0.402 °C/W RqCS Case-to-Sink, Flat Greased Surface 0.50 ––– RqJA Junction-to-Ambient ® ––– 62