本公司營(yíng)ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國(guó)際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：通孔 封裝/箱體：TO-247-3 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個(gè)頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：250 V Id-連續(xù)直流電流：57 A Rds上漏源導(dǎo)通電阻：33毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：30 V Qg-血漿甲醛：99 nC 最小工作溫度：-40 C 最大工作溫度：+ 175 C Pd-功率耗散：360 W 通道模式：增強(qiáng) 封裝：Tube 配置：?jiǎn)?高度：20.7毫米 長(zhǎng)度：15.87毫米 晶體管類(lèi)型：1 N溝道 寬度：5.31毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 正向跨導(dǎo)-加速度：100 S 產(chǎn)品類(lèi)型：MOSFET 工廠包裝數(shù)量：400 子類(lèi)別：MOSFET 零件號(hào)別名：IRFP4332PBF SP001578038 單位重量：38 g 特征 •先進(jìn)的工藝技術(shù) •針對(duì)PDP維持，能量回收和通道切換應(yīng)用優(yōu)化的關(guān)鍵參數(shù) •低EPULSE額定值，以減少PDP維持，能量回收和通行開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的功耗 •低質(zhì)量保證，快速響應(yīng) •高重復(fù)峰值電流能力，確?？煽窟\(yùn)行 •縮短下降和上升時(shí)間以實(shí)現(xiàn)快速切換 •175°C的工作結(jié)溫，以提高堅(jiān)固性 •重復(fù)的雪崩能力，具有堅(jiān)固性和可靠性 描述 這款HEXFET®功率MSFET專(zhuān)為Sustain設(shè)計(jì)。 等離子顯示面板中的能量回收和通過(guò)開(kāi)關(guān)應(yīng)用。 該MOSFET利用最新的處理技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)較低的每硅面積導(dǎo)通電阻和低EPULSE額定值。 該MSFET的其他功能是175°C的工作結(jié)溫和高重復(fù)峰值電流能力。 這些特性相結(jié)合，使該MOSFET成為用于PDP驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的高效，堅(jiān)固和可靠的器件。 最大絕對(duì)額定值 Parameter Max. Units VGS Gate-to-Source Voltage ±30 V ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 57 A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 40 IDM Pulsed Drain Current Q) 230 IRP @ TC = 100°C Repetitive Peak Current CT@ 120 PD @TC = 25°C Power Dissipation 360 W PD @TC = 100°C Power Dissipation 180 Linear Derating Factor 2.4 W/°C TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -40 to + 175 °C Soldering Temperature for 10 seconds 300 Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw 10lb"in (1.1N"m) N