本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：通孔 封裝/箱體：TO-220-3 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：40 V Id-連續(xù)直流電流：280 A 漏源導(dǎo)通電阻：2 mOhms Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Qg-萘甲酸：160 nC Pd-功率耗散：330 W 封裝：Tube 配置：單 高度：15.65毫米 長度：10毫米 晶體管類型：1 N溝道 寬度：4.4毫米 商標(biāo)：Infineon Technologies 產(chǎn)品類型：MOSFET 工廠包裝數(shù)量：1000 子類別：MOSFET 零件號別名：IRF2804PBF SP001571174 單位重量：6 g 特征 •先進的工藝技術(shù) •超低導(dǎo)通電阻 •175°C工作溫度 •快速切換 •重復(fù)雪崩允許最大Tjmax •無鉛 描述 這款HEXFET®功率MOSFET利用最新的處理技術(shù)， 使每個硅面積的導(dǎo)通電阻極低。 此設(shè)計的其他功能 是175°C的結(jié)溫，快速的開關(guān)速度和改進的重復(fù)雪崩額定值。 這些功能相結(jié)合，使該設(shè)計成為一種非常有效和可靠的設(shè)備， 可用于多種其他應(yīng)用。 最大絕對額定值 Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) 270 A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (See Fig. 9) 190 ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited) 75 IDM Pulsed Drain Current CD 1080 PD @TC = 25°C Maximum Power Dissipation 300 W Linear Derating Factor 2.0 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V EAS Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) Q) 540 mJ EAS (tested) Single Pulse Avalanche Energy Tested Value Cv 1160 IAR Avalanche Current CD See Fig.12a,12b,15,16 A EAR Repetitive Avalanche Energy ® mJ TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting torque, 6-32 or M3 screw 10 lbf•in (1.1N•m)