藍(lán)光同茂廣告標(biāo)牌設(shè)備公司是一家集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售于一體的國(guó)內(nèi)高新企業(yè)。產(chǎn)品范圍包括：金屬雕刻機(jī),標(biāo)牌機(jī),銘牌機(jī),腐蝕機(jī),蝕刻機(jī),標(biāo)牌設(shè)備,電鍍?cè)O(shè)備,電鑄機(jī),電刷鍍機(jī),鍍金機(jī),堆金機(jī),電泳設(shè)備,上色機(jī),版畫機(jī),打標(biāo)機(jī),拋光機(jī),鋁氧化著色設(shè)備,數(shù)碼標(biāo)牌設(shè)備,3D彩印打印機(jī),大型3D熱轉(zhuǎn)移機(jī)，立體玻雕機(jī)等，我公司致力于高質(zhì)量的產(chǎn)品和完善的技術(shù)服務(wù)活躍在各個(gè)領(lǐng)域。

以不銹鋼US304的腐蝕加工為主

蝕刻機(jī)里添加化學(xué)蝕刻液為：三氯化鐵

化學(xué)式：FeCl3=FeCl3·6H2O

一.蝕刻液佳條件

波美度： 38°—42°

藥液溫度： 45°—50°

PH值測(cè)量區(qū)間：1PH-3PH

氧化劑 FeCl3

二.新反應(yīng)過(guò)程

三氯化鐵蝕刻液對(duì)不銹鋼的蝕刻是一個(gè)“氧化---還原”過(guò)程：

1.氧化反應(yīng)：2FeCl3+Fe=3FeCl2

三氯化鐵+不銹鋼+水=氯化亞鐵+板材蝕刻成品+水+不銹鋼雜質(zhì)

三.藥性減低的原因及還原方式

隨著化學(xué)反應(yīng)的進(jìn)行，蝕刻液藥性降低，是因?yàn)槿然F氧化成了氯化亞鐵，此時(shí)需要將氯化亞鐵還原成三氯化鐵增加藥液酸性。需加入酸鈉水溶液(還原劑)﹑鹽酸

2.還原反應(yīng)：2FeCl2+NaClO+2HCL﹦2FeCl3+NaCl+H2O

氯化亞鐵+酸鈉+鹽酸=三氯化鐵+氯化鈉+水(由于亞鐵離子在水中極易水解而產(chǎn)生氫氧化亞鐵：FeCl2+H2O=,Fe(OH)2+HCL所以為了防止氯化亞鐵水解變質(zhì),常在氯化亞鐵溶液中添加一些鹽酸.)

3.由于鹽酸容易揮發(fā)，隨著化學(xué)反應(yīng)的進(jìn)行，還會(huì)發(fā)生以下反應(yīng)：

6FeCl2+NaClo+3H2O=4FeCl3+2Fe(OH)3 ↓+NaCl

氯化亞鐵水=三氯化鐵+氫氧化鐵(沉淀物)+氯化鈉

(其中氫氧化鐵為沉淀物，所以隨著化學(xué)反應(yīng)時(shí)間的加長(zhǎng)，藥箱內(nèi)會(huì)出現(xiàn)粘稠狀物質(zhì)。除去該粘稠狀沉淀物，需采用物理過(guò)濾方式，如：過(guò)濾網(wǎng)過(guò)濾或凈水裝置)

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點(diǎn)蝕對(duì)本書所討論的鋁合金表面紋理蝕刻的成因很重要，特別是對(duì)粗糙度較大的紋理蝕刻更為重要?？梢哉f(shuō)要研究鋁合金的化學(xué)紋理蝕刻，就必需首先研究鋁合金點(diǎn)蝕的形成機(jī)理，至少也應(yīng)對(duì)點(diǎn)蝕的形成有深人了解。這也是研究鋁合金化學(xué)紋理蝕刻的理論基礎(chǔ)。

鋁合金點(diǎn)蝕的形成機(jī)理比較復(fù)雜，普遍認(rèn)為主要是由電化學(xué)因素和表面結(jié)構(gòu)不均勻因素所致。下面對(duì)這兩方面進(jìn)行深人討論。

I.點(diǎn)蝕機(jī)理及影響點(diǎn)蝕的主要因素

點(diǎn)蝕形成的機(jī)理及影響點(diǎn)蝕的因素比較復(fù)雜，不同型號(hào)的合金材料，在不同電解質(zhì)溶液中的表現(xiàn)也不盡相同，在此主要討論對(duì)紋理蝕刻有較大影響的相關(guān)機(jī)理和因素。

(1)點(diǎn)蝕機(jī)理點(diǎn)蝕主要由電解質(zhì)溶液引起的電化學(xué)因素和由鋁合金材料本身特征引起的表面結(jié)構(gòu)不均勻因素所致。

①電化學(xué)因素。當(dāng)鋁合金浸人電解質(zhì)溶液中時(shí)，鋁合金表面由于特定活化陰離子(如C1一等)的存在，促進(jìn)了陽(yáng)極反應(yīng)的發(fā)生;而氧化劑的存在和具有低極化性能的有效陰極面積則促進(jìn)陰極反應(yīng)。此時(shí)，只要腐蝕電位達(dá)到或超過(guò)某一臨界值(即點(diǎn)蝕電位)，就可能擊穿表面膜而導(dǎo)致點(diǎn)蝕的產(chǎn)生。

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吸附機(jī)理這一觀點(diǎn)認(rèn)為，鋁合金表面的點(diǎn)蝕主要發(fā)生在金屬表面的熱力學(xué)相對(duì)不穩(wěn)定處，或位錯(cuò)缺陷處。這些部位比其他部位具有更高的活性，電解質(zhì)溶液中的活性cl一更易在其表面吸附，并侵蝕氧化膜，使基體新鮮金屬在電解質(zhì)溶液中。的金屬基體被電解液中活性C1一和其他氧化性離子腐蝕，形成點(diǎn)蝕。

這一過(guò)程分三步進(jìn)行。

①第1步引發(fā)期。首先是在熱力學(xué)相對(duì)不穩(wěn)定處形成吸附中心，C1一在這一中心吸附，并不斷富集，為下一步鈍化膜的侵蝕提供足夠的活性離子。這一步如圖2-7吸附機(jī)理產(chǎn)生點(diǎn)蝕示意I所示。

②第二步氧化膜層侵蝕期。由于在活性中心有大量C1一吸附，使吸附中心處氧化膜穩(wěn)定性進(jìn)一步降低，最終被Cl-溶解而破壞，導(dǎo)致氧化膜被侵蝕，出新鮮金屬，使電解液迅速進(jìn)人被破壞處，從而導(dǎo)致點(diǎn)蝕的發(fā)生。