數(shù)據(jù)列表：AON6504

標(biāo)準(zhǔn)包裝：3000/盤

標(biāo)準(zhǔn)封裝：DFN5*6

型號(hào)類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

產(chǎn)品族：晶體管 - FET，MOSFET - 單

數(shù)據(jù)列表：AON6504

型號(hào)類型：N 溝道 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：51A（Ta），85A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：1.8 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值）：60nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：2719pF @ 15V

功率耗散（最大值）：7.3W（Ta），83W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

型號(hào)描述：AON6504

A：RθJA的值是在安裝在2in的1in2 FR-4板上的設(shè)備上測(cè)得的。銅，在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。該

功耗PDSM基于RθJA和最大允許結(jié)溫150°C。任何給定應(yīng)用程序中的值取決于

在用戶的特定電路板設(shè)計(jì)上。

B.功耗PD基于TJ（MAX）= 150°C，采用結(jié)殼熱阻，在設(shè)置上部時(shí)更有用

使用額外散熱的情況下的耗散極限。

C.單個(gè)脈沖寬度受結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C限制。

D.RθJA是結(jié)點(diǎn)到外殼RθJC和外殼到外界的熱阻之和。

E.圖1至6中的靜態(tài)特性是使用<300μs脈沖，占空比最大0.5％獲得的。

F.這些曲線基于結(jié)到殼體的熱阻抗，該阻抗是通過安裝在大型散熱器上的裝置測(cè)量的，假設(shè)

最高結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C。 SOA曲線提供單脈沖額定值。

G.最大額定電流是封裝限制的。

H.這些測(cè)試是在裝有1英寸2 FR-4板和2盎司的設(shè)備上進(jìn)行的。銅，在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。

型號(hào)圖片：AON6504