IRF3205STRLPBF MOSFET -進(jìn)口原裝現(xiàn)貨
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IRF3205STRLPBF MOSFET -進(jìn)口原裝現(xiàn)貨

IRF3205STRLPBF-MOSFET--進(jìn)口原裝現(xiàn)貨

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商品參數(shù)
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商品介紹
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聯(lián)系方式
型號 IRF3205STRLPBF
品牌 IR
封裝 TO-263
環(huán)保類別 無鉛環(huán)保型
安裝方式 直插式
包裝方式 卷帶編帶包裝
數(shù)量 20000
商品介紹
本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS:詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD / SMT 封裝/箱體:TO-252-3 晶體管極性:N溝道 通道數(shù)量:1個(gè)頻道 Vds-漏源極擊穿電壓:55 V Id-連續(xù)直流電流:110 A 漏源導(dǎo)通電阻:8 mOhms Vgs-克羅地亞-源極電壓:20 V Qg-血漿甲醛:97.3 nC Pd-功率耗散:200 W 封裝:剪切帶 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:單 高度:2.3毫米 長度:6.5毫米 晶體管類型:1 N溝道 寬度:6.22毫米 商標(biāo):Infineon / IR 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量:800 子類別:MOSFET 零件號別名:IRF3205STRLPBF SP001576758 單位重量:2 g 特征 •先進(jìn)的工藝技術(shù) •超低導(dǎo)通電阻 •動(dòng)態(tài)dv / dt評級 •175°C工作溫度 •快速切換 •完全雪崩等級 •無鉛 描述 國際整流器公司(International Rectifier)的高級HEXFET®功率 MOSFET利用先進(jìn)的處理技術(shù),使每個(gè)硅面積的導(dǎo)通電阻極低。 這種好處,結(jié)合了快速HEXFET功率MOSFET廣為人知的開關(guān) 速度和堅(jiān)固耐用的設(shè)備設(shè)計(jì)為設(shè)計(jì)人員提供了一種極其高效 和可靠的設(shè)備,可廣泛用于各種應(yīng)用中。 D2Pak是一種表面安裝電源封裝,能夠容納高達(dá)HEX-4的 裸片尺寸。 它在任何現(xiàn)有的表面貼裝封裝中提供最高的 功率能力和最低的導(dǎo)通電阻。 D2Pak的內(nèi)部連接電阻低, 因此適合于大電流應(yīng)用,并且會(huì)耗散 在典型的表面貼裝應(yīng)用中達(dá)到2.0W。 通孔版本(IRF3205L)可用于薄型應(yīng)用。 最大絕對額定值 Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 110 m A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 80 IDM Pulsed Drain Current CD 390 PD @TC = 25°C Power Dissipation 200 W Linear Derating Factor 1.3 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage 土 20 V IAR Avalanche CurrentCD 62 A EAR Repetitive Avalanche EnergyCD 20 mJ dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt Gl 5.0 V/ns TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting torque, 6-32 or M3 srew 10 lbf•in (1.1N•m)
聯(lián)系方式
公司名稱 深圳市凱斯宇科技有限公司
聯(lián)系賣家 廖巧仙 (QQ:956867351)
電話 尋尉尅尅-專將尃尋将尅専尊
手機(jī) 専將将專尃将尊尃將尃射
傳真 尋尉尅尅-尃專專尊尃專専専
網(wǎng)址 http://www.szksykj.com/
地址 廣東省深圳市