本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。

制造商：Infineon
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：詳細(xì)信息
技術(shù)：Si
安裝風(fēng)格：SMD / SMT
封裝/箱體：TO-252-3
晶體管極性：N溝道
通道數(shù)量：1個頻道
Vds-漏源極擊穿電壓：100 V
Id-連續(xù)直流電流：17 A
Rds上漏源導(dǎo)通電阻：90毫歐
Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V
Qg-血漿甲醛：37 nC
最小工作溫度：-55 C
最大工作溫度：+ 175 C
Pd-功率耗散：3.8 W
封裝：剪切帶
封裝：MouseReel
封裝：Reel
配置：單
高度：2.3毫米
長度：6.5毫米
晶體管類型：1 N溝道
寬度：6.22毫米
商標(biāo)：Infineon Technologies
正向跨導(dǎo)-預(yù)期：12 S
下降時間：25 ns
產(chǎn)品類型：MOSFET
上升時間：22 ns
工廠包裝數(shù)量：800
子類別：MOSFET
典型關(guān)閉延遲時間：35 ns
典型起始延遲時間：9.2 ns
零件號別名：IRF530NSTRLPBF SP001563332
單位重量：4 g
特征

•先進(jìn)的工藝技術(shù)
•超低導(dǎo)通電阻
•動態(tài)dv / dt評級
•175°C工作溫度
•快速切換
•完全雪崩等級
•無鉛
描述
國際整流器公司（International Rectifier）的高級

HEXFET®功率MOSFET利用先進(jìn)的處理技術(shù)，使

每個硅面積的導(dǎo)通電阻極低。 這項優(yōu)勢與HEXFET

功率MOSFET眾所周知的快速開關(guān)速度和堅固耐用

的器件設(shè)計相結(jié)合，為設(shè)計人員提供了一種極其有

效和可靠的器件，可廣泛用于各種應(yīng)用中。
D2Pak是一種表面安裝電源封裝，能夠容納高達(dá)HEX-4

的裸片尺寸。 它在任何現(xiàn)有的表面貼裝封裝中提供最高

的功率能力和最低的導(dǎo)通電阻。 D2Pak的內(nèi)部連接電阻低，

因此適合大電流應(yīng)用，在典型的表面安裝應(yīng)用中，其耗

散功率高達(dá)2.0W。
通孔版本（IRF530NL）可用于薄型應(yīng)用。