雪崩能量測試儀參數(shù)

雪崩能量測試儀參數(shù)    浪涌電流測試儀 IGBT測試儀 晶體管測試儀

半導(dǎo)體分立器件作為在電力電子行業(yè)中應(yīng)用*為廣泛的基礎(chǔ)元件，其性能表現(xiàn)對(duì)整個(gè)電子電路系統(tǒng)來講十分重要。選擇合適的分立器件就需要該器件能夠承受電路中的電流，滿足一定的雪崩耐量。 該測試系統(tǒng)主要用于 IGBT、FRD、MOS器件單脈沖及重復(fù)脈沖雪崩能量測試。測試電流 200A，電壓 4500V，雪崩能量可達(dá)2000J。測試的電壓和電流波形同時(shí)被采集到示波器，并由示波器與工控機(jī)直接通訊，將采集數(shù)據(jù)傳輸給計(jì)算機(jī)，計(jì)算機(jī)將測試數(shù)據(jù)以EXCEL表格形式顯示并進(jìn)行*終的編輯和打印。 ENX2020 雪崩耐量測試系統(tǒng) 功能指標(biāo)： 配置 測試范圍 測試參數(shù) 條件 范圍 電壓 1000V IGBTs 絕緣柵雙極型晶體管 EAS/單脈沖雪崩能量 VCE 20V～4500V 20~100V±3%±1V 100~1000V±3%±5V 1000V~4500V±3%±10V 電流 200A MOSFETs MOS場效應(yīng)管 EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量 Ic 1mA～200A 1mA～100mA±3%±0.1mA 100mA～2A±3%±5mA 2A～200A±3%±50mA DIODEs 二極管 IAS/單脈沖雪崩電流 Ea 1J～2000J 1J～100J±3%±1J 100J～500J±3%±5J 500J～2000J±3%±10J PAS/單脈沖雪崩功率 IC檢測 50mV/A（取決于傳感器） 感性負(fù)載 10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、 重復(fù)間隙時(shí)間 1~60s可調(diào)（步進(jìn)1s） 重復(fù)次數(shù)：1~50次