高純蒸發(fā)料

蒸發(fā)作為PVD技術(shù)的一種，被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)中的芯片背面金屬化工藝，中諾新材（北京）科技有限公司作為專業(yè)的PVD薄膜材料供應(yīng)商，可以提供各種規(guī)格的全系列高純金屬蒸發(fā)材料。這些材料可做成絲狀，片狀，顆粒狀。適用于鎢絲籃加熱蒸發(fā)，鎢舟，鉬舟蒸發(fā)，各種坩堝蒸發(fā)等。

同時，這些材料亦廣泛應(yīng)用于精密合金熔煉、高純化合物制備以及高品質(zhì)晶體制備等領(lǐng)域。

中諾新材采用高純化合物粉末為原料，通過常壓燒結(jié)法、真空熱壓法以及熱等靜壓法等工藝成型，經(jīng)過精密的機械加工工藝，制得晶粒細小、組織均勻、致密度高的高品質(zhì)陶瓷化合物靶材，被廣泛應(yīng)用于太陽能光伏、平面顯示、玻璃鍍膜等領(lǐng)域。

中諾新材可根據(jù)您的需求，為您定制不同化合物，不同比例的摻雜靶材。通過球磨制粉，共沉積制粉，真空熱壓燒結(jié)，常壓燒結(jié)等工藝，可保證靶材摻雜比例準確，摻雜相單一，致密度高。

中諾新材可根據(jù)您的需求，為您定制不同化合物，不同比例的摻雜靶材。通過球磨制粉，共沉積制粉，真空熱壓燒結(jié)，常壓燒結(jié)等工藝，可保證靶材摻雜比例準確，摻雜相單一，致密度高。

部分定制靶材如下：

氧化銦錫 ITO In2O3:SnO2=90:10 wt%

氧化鋅鋁 AZO ZnO:Al2O3=98:2 wt%

銅銦硒 CIGS Cu:In:Ga:Se=1:0.7:0.3:2 at%

氧化鋅摻雜氧化鎂等

氧化銦鋅 IGZO In:Ga:Zn=2:2:1 at%

鈦鋯酸鉛 PZT Pb1.2Zr0.52Ti0.48O3

鍺銻碲 GST Ge:Sb:Te=2:2:5 at%