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CPLD采用CMOS EPROM、EEPROM、快閃存儲器和SRAM等編程技術,從而構成了高密度、高速度和低功耗的可編程邏輯器件?;赟RAM(靜態(tài)隨機存儲器)的可重配置PLD(可編程邏輯器件)的出現(xiàn),為系統(tǒng)設計者動態(tài)改變運行電路中PLD的邏輯功能創(chuàng)造了條件。PLD使用SRAM單元來保存配置數(shù)據(jù)。這些配置數(shù)據(jù)決定了PLD內部的互連關系和邏輯功能,改變這些數(shù)據(jù),也就改變了器件的邏輯功能。由于SRAM的數(shù)據(jù)是易失的,因此這些數(shù)據(jù)必須保存在PLD器件以外的EPROM、EEPROM或FLASH ROM等非易失存儲器內,以便使系統(tǒng)在適當?shù)臅r候將其下到PLD的SRAM單元中,從而實現(xiàn)在電路可重配置ICR(In-Circuit Reconfigurability)。
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