IRF7606TRPBF  分立半導(dǎo)體產(chǎn)品   晶體管  FET  MOSFET  單 （百分百原裝現(xiàn)貨  優(yōu)勢(shì)供應(yīng)）

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET

RoHS:  無(wú)鉛環(huán)保  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: Micro-8

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 3.6 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 90 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

Qg-柵極電荷: 20 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.8 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

高度: 1.11 mm  

長(zhǎng)度: 3 mm  

晶體管類(lèi)型: 1 P-Channel  

寬度: 3 mm  

商標(biāo): Infineon / IR  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 2.3 S  

下降時(shí)間: 39 ns  

產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET  

上升時(shí)間: 20 ns  

工廠包裝數(shù)量: 4000  

子類(lèi)別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 43 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 13 ns  

零件號(hào)別名: SP001563726  

單位重量: 25.540 mg  

電子元器件配單專(zhuān)家，一站式配齊所有型號(hào)，歡迎咨詢(xún)