Read-Only Memory），是一種可以通過(guò)電子方式多次復(fù)寫(xiě)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)設(shè)備。相比EPROM，EEPROM不需要用紫外線照射，也不需取下，就可以用特定的電壓，來(lái)抹除芯片上的信息，以便寫(xiě)入新的數(shù)據(jù)。EEPROM有四種工作模式：讀取模式、寫(xiě)入模式、擦除模式、校驗(yàn)?zāi)Ｊ?。讀取時(shí)，芯片只需要Vcc低電壓（一般+5V）供電。編程寫(xiě)入時(shí)，芯片通過(guò)Vpp（一般+25V, 較新者可能使用

12V 或 5V）獲得編程電壓，并通過(guò)PGM編程脈沖（一般50ms）寫(xiě)入數(shù)據(jù)。擦除時(shí)，只需使用Vpp高電壓，不需要紫外線，便可以擦除指定地址的內(nèi)容。為保證寫(xiě)入正確，在每寫(xiě)入一塊數(shù)據(jù)后，都需要進(jìn)行類似于讀取的校驗(yàn)步驟，若錯(cuò)誤就重新寫(xiě)入。現(xiàn)今的 EEPROM 通常已不再需要使用額外的 Vpp 電壓，且寫(xiě)入時(shí)間也已有縮短。