IRF6620TRPBF   分立半導體產品   晶體管  FET  MOSFET  單 MOSFET 20V 1 N-CH 2.7mOhm DirectFET 28nC

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS:  無鉛環(huán)保  

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: DirectFET-MX

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V

Id-連續(xù)漏極電流: 27 A

Rds On-漏源導通電阻: 3.6 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.45 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

Qg-柵極電荷: 28 nC

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 89 W

配置: Single

高度: 0.7 mm  

長度: 6.35 mm  

晶體管類型: 1 N-Channel  

寬度: 5.05 mm  

商標: Infineon / IR  

正向跨導 - 最小值: 110 S  

下降時間: 6.6 ns  

產品類型: MOSFET  

上升時間: 80 ns  

工廠包裝數(shù)量: 4800  

子類別: MOSFETs  

典型關閉延遲時間: 20 ns  

典型接通延遲時間: 18 ns  

零件號別名: SP001524564

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