高純蒸發(fā)料

蒸發(fā)作為PVD技術(shù)的一種，被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)中的芯片背面金屬化工藝，中諾新材（北京）科技有限公司作為專(zhuān)業(yè)的PVD薄膜材料供應(yīng)商，可以提供各種規(guī)格的全系列高純金屬蒸發(fā)材料。這些材料可做成絲狀，片狀，顆粒狀。適用于鎢絲籃加熱蒸發(fā)，鎢舟，鉬舟蒸發(fā)，各種坩堝蒸發(fā)等。

同時(shí)，這些材料亦廣泛應(yīng)用于精密合金熔煉、高純化合物制備以及高品質(zhì)晶體制備等領(lǐng)域。

半導(dǎo)體化合物材料

我們可提供半導(dǎo)體行業(yè)所需常用氧化物，硒化物，銻化物，硫化物，碲化物等。

氧化物: 氧化鋅 氧化銦 氧化鉍 氧化碲

硫化物: 硫化鋅 硫化鎢 硫化鉬 硫化錫 硫化銻 硫化鍺 硫化銀

硒化物: 硒化鋅 硒化鉍 硒化鍺 硒化鎘 硒化銻 硒化錫 硒化銦 硒化鎢

銻化物: 銻化鉍 銻化錫 銻化銦

碲化物: 碲化銅(CuTe) 碲化銦 InTe  碲化鋅(ZnTe) 三碲化二鉍(Bi2Te3)，二氧化碲(TeO2).  碲化銻 碲化鋅 碲化鍺

多元化合物: 銅銦硒 銅鋅錫硫 鍺銻碲

純度：99.99-99.9999

狀態(tài)：粉末 顆粒

可根據(jù)需求，定制不同比例的靶材

中諾新材可根據(jù)您的需求，為您定制不同化合物，不同比例的摻雜靶材。通過(guò)球磨制粉，共沉積制粉，真空熱壓燒結(jié)，常壓燒結(jié)等工藝，可保證靶材摻雜比例準(zhǔn)確，摻雜相單一，致密度高。

部分定制靶材如下：

氧化銦錫 ITO In2O3:SnO2=90:10 wt%

氧化鋅鋁 AZO ZnO:Al2O3=98:2 wt%

銅銦硒 CIGS Cu:In:Ga:Se=1:0.7:0.3:2 at%

氧化鋅摻雜氧化鎂等

氧化銦鋅 IGZO In:Ga:Zn=2:2:1 at%

鈦鋯酸鉛 PZT Pb1.2Zr0.52Ti0.48O3

鍺銻碲 GST Ge:Sb:Te=2:2:5 at%