IKW50N60DTP   分立半導(dǎo)體產(chǎn)品   晶體管  UGBT  MOSFET  單

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類(lèi): IGBT 晶體管

RoHS:  無(wú)鉛環(huán)保  

技術(shù): Si

封裝 / 箱體: TO-247-3

安裝風(fēng)格: Through Hole

配置: Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 600 V

集電極—射極飽和電壓: 1.6 V

柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 80 A

Pd-功率耗散: 319.2 W

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 175 C

系列: 600V TRENCHSTOP

封裝: Tube

商標(biāo): Infineon Technologies  

柵極—射極漏泄電流: 100 nA  

產(chǎn)品類(lèi)型: IGBT Transistors  

工廠包裝數(shù)量: 240  

子類(lèi)別: IGBTs  

商標(biāo)名: TRENCHSTOP  

零件號(hào)別名: IKW50N60DTP SP001379678  

單位重量: 6.065 g  

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