MBR0530PBF   分立半導(dǎo)體產(chǎn)品   晶體管  FET  MOSFET  單  MOSFET TRENCH_MOSFETS

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  無鉛環(huán)保  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 150 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.5 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.35 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

Qg-柵極電荷: 54 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 140 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: StrongIRFET

封裝: Tube

高度: 15.65 mm  

長度: 10 mm  

晶體管類型: 1 N-Channel  

寬度: 4.4 mm  

商標(biāo): Infineon / IR  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 190 S  

下降時間: 36 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 92 ns  

工廠包裝數(shù)量: 1000  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 25 ns  

典型接通延遲時間: 23 ns  

零件號別名: SP001558130  

單位重量: 1 g  

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