IRFPG50PBF        MOSFET N-CH 1000V HEXFET MOSFET

制造商: Vishay

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  無鉛環(huán)保  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-247AC-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 1 kV

Id-連續(xù)漏極電流: 6.1 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V

Qg-柵極電荷: 190 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 190 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封裝: Tube

系列: IRFPG  

晶體管類型: 1 N-Channel  

商標(biāo): Vishay / Siliconix  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 5.4 S  

下降時間: 36 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 35 ns  

工廠包裝數(shù)量: 500  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 130 ns  

典型接通延遲時間: 19 ns  

單位重量: 38 g

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