由兩個(gè)背靠背PN結(jié)構(gòu)成的以獲得電壓、電流或信號(hào)增益的晶體三極管。起源于1948年發(fā)明的點(diǎn)接觸晶體三極管，50年代初發(fā)展成結(jié)型三極管即現(xiàn)在所稱的雙極型晶體管。雙極型晶體管有兩種基本結(jié)構(gòu)：PNP型和NPN型。在這3層半導(dǎo)體中，中間一層稱基區(qū)，外側(cè)兩層分別稱發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。當(dāng)基區(qū)注入少量電流時(shí)，在發(fā)射區(qū)和集電區(qū)之間就會(huì)形成較大的電流，這就是晶體管的放大效應(yīng)。雙極型晶體管是一種電流控制器件，電子和空穴同時(shí)參與導(dǎo)電。同場(chǎng)效應(yīng)晶體管相比，雙極型晶體管開關(guān)速度慢，輸入阻抗小，功耗大。雙極型晶體管體積小、重量輕、耗電少、壽命長(zhǎng)、可靠性高，已廣泛用于廣播、電視、通信、雷達(dá)、計(jì)算機(jī)、自控裝置、電子儀器、家用電器等領(lǐng)域，起放大、振蕩、開關(guān)等作用。雙極型晶體管晶體管：用不同的摻雜方式在同一個(gè)硅片上制造出三個(gè)摻雜區(qū)域，并形成兩個(gè)PN結(jié)，就構(gòu)成了晶體管.輸入特性曲線：描述了在管壓降UCE一定的情況下，基極電流iB與發(fā)射結(jié)壓降uBE之間的關(guān)系稱為輸入伏安特性，可表示為： 硅管的開啟電壓約為0.7V，鍺管的開啟電壓約為0.3V。輸出特性曲線：描述基極電流IB為一常量時(shí)，集電極電流iC與管壓降uCE之間的函數(shù)關(guān)系?？杀硎緸椋弘p極型晶體管輸出特性可分為三個(gè)區(qū)★截止區(qū)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為反向偏置。IE@0，IC@0，UCE@EC，管子失去放大能力。如果把三極管當(dāng)作一個(gè)開關(guān)，這個(gè)狀態(tài)相當(dāng)于斷開狀態(tài)?！镲柡蛥^(qū)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為正向偏置。在飽和區(qū)IC不受IB的控制，管子失去放大作用，UCE@0，IC=EC/RC，把三極管當(dāng)作一個(gè)開關(guān)，這時(shí)開關(guān)處于閉合狀態(tài)。溫度對(duì)的影響： 是集電結(jié)加反向電壓時(shí)平衡少子的漂移運(yùn)動(dòng)形成的，當(dāng)溫度升高時(shí)，熱運(yùn)動(dòng)加劇，更多的價(jià)電子有足夠的能量掙脫共價(jià)鍵的束縛，從而使少子的濃度明顯增大， 增大。溫度每升高10 時(shí)， 增加約一倍。硅管的 比鍺管的小得多，硅管比鍺管受溫度的影響要小。溫度對(duì)輸入特性的影響：溫度升高，正向特性將左移。溫度對(duì)輸出特性的影響：溫度升高時(shí) 增大。光電三極管：依據(jù)光照的強(qiáng)度來控制集電極電流的大小。暗電流ICEO：光照時(shí)的集電極電流稱為暗電流ICEO，它比光電二極管的暗電流約大兩倍；溫度每升高25 ，ICEO上升約10倍。