IRFH7084TRPBF    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品   晶體管  FET  MOSFET  單

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  無鉛環(huán)保  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PQFN-8

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 265 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 950 uOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.9 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

Qg-柵極電荷: 127 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: StrongIRFET

高度: 0.83 mm  

長(zhǎng)度: 6 mm  

晶體管類型: 1 N-Channel  

寬度: 5 mm  

商標(biāo): Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 120 S  

下降時(shí)間: 34 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 31 ns  

工廠包裝數(shù)量: 4000  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 64 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 16 ns  

零件號(hào)別名: SP001551936

提供電子元件配單服務(wù)，可支持小批量和樣品，歡迎咨詢！