BSZ086P03NS3G            MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 無鉛環(huán)保

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSDSON-8

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 40 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.5 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.1 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 25 V

Qg-柵極電荷: 57.5 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

高度: 1.1 mm  

長度: 3.3 mm  

系列: OptiMOS P3  

晶體管類型: 1 P-Channel  

寬度: 3.3 mm  

商標(biāo): Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 30 S  

下降時間: 8 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 46 ns  

工廠包裝數(shù)量: 5000  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 35 ns  

典型接通延遲時間: 16 ns  

零件號別名: BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ86P3NS3GXT SP000473024  

單位重量: 100 mg

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