IPB60R380C6        MOSFET N-Ch 600V 10.6A D2PAK-2 CoolMOS C6

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 無鉛環(huán)保  

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 10.6 A

Rds On-漏源導通電阻: 340 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V

Qg-柵極電荷: 32 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 83 W

配置: Single

商標名: CoolMOS  

高度: 4.4 mm  

長度: 10 mm  

系列: CoolMOS C6  

晶體管類型: 1 N-Channel  

寬度: 9.25 mm  

商標: Infineon Technologies  

下降時間: 9 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 10 ns  

工廠包裝數(shù)量: 1000  

子類別: MOSFETs  

典型關閉延遲時間: 110 ns  

典型接通延遲時間: 15 ns  

零件號別名: IPB60R380C6ATMA1 IPB6R38C6XT SP000660634  

單位重量: 4 g

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