IRF6648TRPBF  分立半導(dǎo)體產(chǎn)品   晶體管  FET  MOSFET  單  MOSFET 60V 1 N-CH 5.5mOhm DirectFET 36nC

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  無鉛環(huán)保

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: DirectFET-MN

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 86 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 5.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

Qg-柵極電荷: 36 nC

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 89 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標名: DirectFET

高度: 0.7 mm  

長度: 6.35 mm  

晶體管類型: 1 N-Channel  

寬度: 5.05 mm  

商標: Infineon / IR  

下降時間: 13 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 29 ns  

工廠包裝數(shù)量: 4800  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 28 ns  

典型接通延遲時間: 16 ns  

零件號別名: SP001570312  

單位重量: 87.050 mg  

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