IRF8915TRPBF   分立半導(dǎo)體產(chǎn)品   晶體管  FET  MOSFET  陣列 （百分百原裝現(xiàn)貨  優(yōu)勢供應(yīng)）

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8

通道數(shù)量: 2 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V

Id-連續(xù)漏極電流: 8.9 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 21.6 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

Qg-柵極電荷: 4.9 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2 W

配置: Dual 高度: 1.75 mm  

長度: 4.9 mm  

晶體管類型: 2 N-Channel  

寬度: 3.9 mm  

商標(biāo): Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 12 S  

下降時間: 3.6 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 12 ns  

工廠包裝數(shù)量: 4000  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 7.1 ns  

典型接通延遲時間: 6 ns  

零件號別名: SP001554494  

單位重量: 506.600 mg  

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